列印頁面
IXBH16N170
IGBT, 40 A, 3.3 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pins
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
389 有存貨
需要更多？
389 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$588.560 |
| 5+ | NT$546.930 |
| 10+ | NT$505.300 |
| 50+ | NT$463.660 |
| 100+ | NT$422.030 |
| 250+ | NT$380.390 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$588.56
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXBH16N170
訂購代碼3930472
Product RangeBiMOSFET Series
技術資料表
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation250W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeBiMOSFET Series
產品總覽
High voltage, high gain BIMOSFET™ monolithic bipolar MOS transistor. Suitable for use in switch-mode and resonant-mode power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), laser generators, capacitor discharge circuits and AC switches applications.
- High blocking voltage
- International standard packages
- Low conduction losses
- Low gate drive requirement
- High power density
技術規格
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
250W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.009764