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IXBK55N300
IGBT, 130 A, 2.7 V, 625 W, 3 kV, TO-264, 3 Pins
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|---|---|
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| 5+ | NT$3,674.750 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXBK55N300
訂購代碼3930405
Product RangeBiMOSFET Series
技術資料表
Continuous Collector Current130A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation625W
Collector Emitter Voltage Max3kV
Transistor Case StyleTO-264
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeBiMOSFET Series
產品總覽
High voltage, high gain BiMOSFET™ monolithic bipolar MOS transistor. Suitable for use in switch-mode and resonant-mode power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), laser generators, capacitor discharge circuits applications.
- High blocking voltage
- International standard package
- Low conduction losses
- High current handling capability
- MOS Gate turn-on- drive simplicity
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Continuous Collector Current
130A
Power Dissipation
625W
Transistor Case Style
TO-264
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
3kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.012537