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IXFK520N075T2
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$624.700 |
| 5+ | NT$583.040 |
| 10+ | NT$541.380 |
| 50+ | NT$499.720 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFK520N075T2复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼3930112
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id520A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
產品總覽
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters and Off-line UPS, primary-side switch, high speed power switching applications.
- TrenchT2™ GigaMOS™ HiperFET™ power MOSFET
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
520A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.020085