列印頁面
IXFN210N30P3
MOSFET Transistor, N Channel, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
163 有存貨
需要更多？
163 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,501.480 |
| 5+ | NT$1,447.450 |
| 10+ | NT$1,393.420 |
| 50+ | NT$1,339.390 |
| 100+ | NT$1,285.350 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$1,501.48
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFN210N30P3
訂購代碼3930486
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
產品總覽
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
192A
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001