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IXFN230N20T
MOSFET Transistor, N Channel, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
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|---|---|
| 1+ | NT$1,529.090 |
| 5+ | NT$1,375.990 |
| 10+ | NT$1,222.880 |
| 50+ | NT$1,198.430 |
| 100+ | NT$1,173.970 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFN230N20T复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼3930243
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance7500µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.09kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
產品總覽
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
220A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.044361