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IXFN38N100P
MOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,592.650 |
| 5+ | NT$1,508.830 |
| 10+ | NT$1,425.010 |
| 50+ | NT$1,341.190 |
| 100+ | NT$1,257.360 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFN38N100P
訂購代碼3930411
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
產品總覽
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001