列印頁面
IXFT220N20X3HV
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 220 A, 5200 µohm, TO-268HV, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFT220N20X3HV复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼3930487
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
您的零件号
可供訂購
製造商標準交貨時間：37 週
有貨時通知我
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$830.990 |
| 5+ | NT$784.000 |
| 10+ | NT$737.010 |
| 50+ | NT$690.020 |
| 100+ | NT$643.030 |
| 250+ | NT$596.040 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$830.99
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXFT220N20X3HV复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼3930487
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source On State Resistance5200µohm
Transistor Case StyleTO-268HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
產品總覽
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220A
Transistor Case Style
TO-268HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
5200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.012761