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IXSA20N120L2-7TR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263 (D2PAK)
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$252.540 | NT$252.54 |
| 總計 價格 | NT$252.54 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$252.540 |
| 10+ | NT$135.810 |
| 100+ | NT$124.570 |
| 500+ | NT$122.080 |
| 1000+ | NT$119.590 |
品項附註
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXSA20N120L2-7TR复制
製造商標準前置時間29 週
訂購代碼
複捲式4848988RL
條帶式包裝4848988
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.208ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation136W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.208ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
136W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001