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IXSJ80N120R1K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 85 A, 1.2 kV, 0.0234 ohm, ISO247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,022.290 |
| 5+ | NT$982.180 |
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| 50+ | NT$903.980 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXSJ80N120R1K
訂購代碼4849001
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0234ohm
Transistor Case StyleISO247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation223.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
0.0234ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ISO247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
223.2W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001