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IXTA3N100D2HV
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | NT$292.630 |
| 5+ | NT$245.780 |
| 10+ | NT$198.930 |
| 50+ | NT$158.830 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTA3N100D2HV复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼4757902
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：1.559