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IXTH10N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$772.470 |
| 5+ | NT$660.920 |
| 10+ | NT$549.370 |
| 50+ | NT$544.520 |
| 100+ | NT$539.670 |
| 250+ | NT$538.960 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTH10N100D2复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼3930489
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation695W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
695W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536