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IXTN600N04T2.
MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
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製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTN600N04T2.复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼3771793
Product RangeTrenchT2 GigaMOS Series
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,339.290 |
| 5+ | NT$1,204.720 |
| 10+ | NT$1,070.140 |
| 50+ | NT$1,060.180 |
| 100+ | NT$1,050.220 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTN600N04T2.复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼3771793
Product RangeTrenchT2 GigaMOS Series
技術資料表
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeTrenchT2 GigaMOS Series
技術規格
Continuous Drain Current Id
600A
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Transistor Case Style
SOT-227
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
940W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchT2 GigaMOS Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.044544