列印頁面
IXTY01N100D-TRL
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
4,974 有存貨
需要更多？
4,974 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$195.110 | NT$195.11 |
| 總計 價格 | NT$195.11 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$195.110 |
| 10+ | NT$127.780 |
| 100+ | NT$94.100 |
| 500+ | NT$83.720 |
| 1000+ | NT$80.140 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTY01N100D-TRL复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼
複捲式3930143RL
條帶式包裝3930143
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance80ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
IXTY01N100D-TRL is a N-channel depletion mode MOSFET. Typical applications are level shifting, triggers, solid state relays, current regulators.
- Normally ON mode
- International standard packages
- Low RDS(on) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Fast switching speed
- Easy to mount, space savings
- High power density
- Voltage rating VDSX is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating 400mA at TC = 25°C, pulse width limited by TJ
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
80ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001