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IXTY08N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Surface Mount
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTY08N50D2复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼3930473
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance4.6ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
4.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000525