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IXTY1R6N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | NT$165.970 |
| 10+ | NT$87.430 |
| 100+ | NT$82.990 |
| 500+ | NT$78.550 |
| 1000+ | NT$74.130 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTY1R6N100D2复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼3930035
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001