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MIUZ100R12GJTL-BP
IGBT Module, Single, 100 A, 1.75 V, 535 W, 150 °C, Module
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,048.070 |
| 5+ | NT$980.300 |
| 10+ | NT$912.520 |
| 50+ | NT$844.740 |
| 100+ | NT$780.620 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號MIUZ100R12GJTL-BP
訂購代碼4707463
技術資料表
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation535W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
535W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001