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MIW80N120NT1YHE3-BP
IGBT, 145 A, 1.75 V, 521 W, 1.2 kV, TO-247AB, 3 Pins
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製造商產品編號MIW80N120NT1YHE3-BP复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼4734424
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|---|---|
| 1+ | NT$482.560 |
| 5+ | NT$386.690 |
| 10+ | NT$290.820 |
| 50+ | NT$269.810 |
| 100+ | NT$248.800 |
| 250+ | NT$243.830 |
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產品訊息
製造商產品編號MIW80N120NT1YHE3-BP复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼4734424
技術資料表
Continuous Collector Current145A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation521W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Continuous Collector Current
145A
Power Dissipation
521W
Transistor Case Style
TO-247AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001