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LND150N3-G

Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Through Hole

LND150N3-G - Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Through Hole

圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。

製造商產品編號:
LND150N3-G
訂購代碼:
2450521
技術資料表:
LND150N3-G   Datasheet
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產品總覽

The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
  • Free from secondary breakdown
  • Low power drive requirement
  • Easy to parallel
  • Excellent thermal stability
  • Integral source-drain diode
  • High input impedance and low CISS
  • ESD gate protection

應用

Power Management

產品訊息

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:
N Channel

:
500V

:
30mA

:
850ohm

:
TO-92

:
Through Hole

:
0V

:
-

:
740mW

:
3Pins

:
150°C

:
-

:
-

:
-
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技術文件 (2)

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