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MSC060SMB120Q
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 1.2 kV, 0.084 ohm, QDPAK-EP
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|---|---|
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| 10+ | NT$230.330 |
| 50+ | NT$216.500 |
| 100+ | NT$202.670 |
| 250+ | NT$196.890 |
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產品訊息
製造商MICROCHIP
製造商產品編號MSC060SMB120Q复制
製造商標準前置時間32 週
訂購代碼5147083
Product RangemSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleQDPAK-EP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation215W
Operating Temperature Max175°C
Product RangemSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
QDPAK-EP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
215W
Product Range
mSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001