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VP2106N3-G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Through Hole
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產品訊息
製造商MICROCHIP
製造商產品編號VP2106N3-G复制
製造商標準前置時間8 週
訂購代碼2775071
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0002