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2N5682.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$64.610 |
| 10+ | NT$52.580 |
| 50+ | NT$39.270 |
| 100+ | NT$34.210 |
| 500+ | NT$32.310 |
| 1000+ | NT$27.240 |
| 5000+ | NT$24.800 |
| 10000+ | NT$23.570 |
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產品訊息
製造商產品編號2N5682.复制
製造商標準前置時間7 週
訂購代碼1611601
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation10W
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min150hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
產品總覽
The 2N5682 is an NPN silicon planer epitaxial Metal Transistor designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
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應用
Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-39
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation
10W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：India
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：India
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000907