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2N7002DW-7-F
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
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製造商產品編號2N7002DW-7-F复制
製造商標準前置時間8 週
訂購代碼
複捲式4245110RL
條帶式包裝4245110
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$15.490 | NT$77.45 |
| 總計 價格 | NT$77.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$15.490 |
| 10+ | NT$9.760 |
| 100+ | NT$6.390 |
| 500+ | NT$4.730 |
| 1000+ | NT$4.130 |
| 5000+ | NT$3.530 |
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產品訊息
製造商產品編號2N7002DW-7-F复制
製造商標準前置時間8 週
訂購代碼
複捲式4245110RL
條帶式包裝4245110
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel13.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
13.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：否
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:否
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000088