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BSP126,115
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Surface Mount
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可供訂購
製造商標準交貨時間：54 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$40.430 | NT$40.43 |
| 總計 價格 | NT$40.43 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$40.430 |
| 10+ | NT$28.980 |
| 50+ | NT$23.500 |
| 200+ | NT$18.020 |
| 500+ | NT$12.430 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1000+ | NT$10.450 |
| 3000+ | NT$9.360 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號BSP126,115复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2439442
複捲式1758080RL
條帶式包裝1758080
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSP126,115 is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor in a miniature package. It is suitable for use in line current interrupter in telephone sets, relay, high-speed and line transformer driver applications.
- Direct interface to C-MOS, TTL
- High-speed switching
- No secondary breakdown
應用
Power Management, Communications & Networking, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000313