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BSP220,115
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Surface Mount
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可供訂購
製造商標準交貨時間：54 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$108.000 | NT$108.00 |
| 總計 價格 | NT$108.00 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$108.000 |
| 10+ | NT$67.290 |
| 50+ | NT$49.730 |
| 200+ | NT$44.060 |
| 500+ | NT$34.010 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1000+ | NT$11.760 |
| 3000+ | NT$10.800 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號BSP220,115复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2439444
複捲式1758083RL
條帶式包裝1758083
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSP220,115 is a P-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor in a miniature envelope. It is intended for use in relay, high-speed and line transformer drivers.
- Low RDS (ON)
- Direct interface to C-MOS, TTL
- High-speed switching
- No secondary breakdown
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000227