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BSP225,115
Power MOSFET, P Channel, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$43.570 | NT$43.57 |
| 總計 價格 | NT$43.57 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$43.570 |
| 10+ | NT$26.780 |
| 50+ | NT$22.210 |
| 200+ | NT$17.630 |
| 500+ | NT$13.860 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1000+ | NT$10.580 |
| 3000+ | NT$10.370 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號BSP225,115复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2439445
複捲式1758084RL
條帶式包裝1758084
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance15ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSP225,115 is a -250V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and designed for use in relays, line transformer drivers applications.
- Low RDS (on)
- Directly interface with CMOS or TTL gate devices
- 150°C Junction temperature
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000262