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BSS87,115
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Surface Mount
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可供訂購
製造商標準交貨時間：54 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$52.900 | NT$52.90 |
| 總計 價格 | NT$52.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.900 |
| 10+ | NT$33.380 |
| 50+ | NT$28.570 |
| 200+ | NT$23.750 |
| 500+ | NT$15.020 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1000+ | NT$9.870 |
| 3000+ | NT$9.680 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號BSS87,115复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2439134
複捲式1758089RL
條帶式包裝1758089
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS87,115 is a N-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, load-side load-switch and switching circuit applications.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
- -55 to 150°C Junction temperature range
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hong Kong
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hong Kong
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000136