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GAN190-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Surface Mount
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號GAN190-650FBEZ
訂購代碼4198482
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.8nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11.5A
Typical Gate Charge
2.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000833