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GAN190-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$159.740 | NT$159.74 |
| 總計 價格 | NT$159.74 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$159.740 |
| 10+ | NT$93.770 |
| 100+ | NT$77.290 |
| 500+ | NT$65.970 |
| 1000+ | NT$61.120 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號GAN190-650FBEZ复制
製造商標準前置時間6 週
訂購代碼
複捲式4198482RL
條帶式包裝4198482
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.8nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11.5A
Typical Gate Charge
2.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000833