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NSF060120T2A0J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, X.PAK
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號NSF060120T2A0J复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼4751736
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleX.PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.77V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.77V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
X.PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001