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NSF080120L4A1Q
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, SOT8071
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$238.170 |
| 5+ | NT$204.150 |
| 10+ | NT$168.800 |
| 50+ | NT$159.080 |
| 100+ | NT$148.470 |
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號NSF080120L4A1Q复制
訂購代碼5135629
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT8071
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation146W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
SOT8071
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
146W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001