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NX2301P,215
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$13.850 | NT$69.25 |
| 總計 價格 | NT$69.25 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.850 |
| 50+ | NT$6.030 |
| 100+ | NT$5.280 |
| 500+ | NT$3.900 |
| 1500+ | NT$3.830 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$2.590 |
| 9000+ | NT$2.540 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號NX2301P,215复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2439336
複捲式1894738RL
條帶式包裝1894738
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max750mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NX2301P is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- 1.8V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive
- Very Fast Switching
- AEC-Q101 Qualified
應用
Audio, Signal Processing, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
750mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000007