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PMDPB56XNEAX
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.072 ohm
可供訂購
製造商標準交貨時間：54 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$41.070 | NT$205.35 |
| 總計 價格 | NT$205.35 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$41.070 |
| 10+ | NT$28.300 |
| 100+ | NT$17.930 |
| 500+ | NT$11.100 |
| 1000+ | NT$8.510 |
| 5000+ | NT$7.290 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMDPB56XNEAX复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式3440020RL
條帶式包裝3440020
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.072ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN2020D
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel485mW
Power Dissipation P Channel485mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
485mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.072ohm
Transistor Case Style
DFN2020D
Power Dissipation N Channel
485mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001