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PMDT290UNEH
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.38 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMDT290UNEH复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式3585614RL
條帶式包裝3585614
Product RangeTrench Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$15.530 | NT$77.65 |
| 總計 價格 | NT$77.65 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$15.530 |
| 10+ | NT$9.610 |
| 100+ | NT$6.080 |
| 500+ | NT$4.560 |
| 1000+ | NT$4.080 |
| 5000+ | NT$3.530 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMDT290UNEH复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式3585614RL
條帶式包裝3585614
Product RangeTrench Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.38ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
Trench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.38ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001