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PMPB09R1XNX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMPB09R1XNX复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4134276RL
條帶式包裝4134276
Product RangeTrenchMOS Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 複捲式 | 5 | NT$30.260 | NT$151.30 |
| 總計 價格 | NT$151.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$30.260 |
| 10+ | NT$18.810 |
| 100+ | NT$18.440 |
| 500+ | NT$18.060 |
| 1000+ | NT$17.690 |
| 5000+ | NT$17.310 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMPB09R1XNX复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4134276RL
條帶式包裝4134276
Product RangeTrenchMOS Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleDFN2020M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
DFN2020M
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000038