列印頁面
PMV65XPEAR
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
可供訂購
有貨時通知我
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$43.950 | NT$219.75 |
| 總計 價格 | NT$219.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$43.950 |
| 10+ | NT$26.290 |
| 100+ | NT$17.840 |
| 500+ | NT$11.830 |
| 1000+ | NT$8.750 |
| 5000+ | NT$6.800 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PMV65XPEAR复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式2498581RL
條帶式包裝2498581
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The PMV65XPEA is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching
- 890mW Enhanced power dissipation capability Ptot
- 2kV HBM ESD protection
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
應用
Automotive, Power Management, Industrial, Medical
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
PMV65XPEAR 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000048