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PSMN8R5-40HSX
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$66.620 | NT$66.62 |
| 總計 價格 | NT$66.62 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$66.620 |
| 10+ | NT$35.570 |
| 100+ | NT$32.670 |
| 500+ | NT$25.840 |
| 1000+ | NT$24.460 |
| 5000+ | NT$23.080 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PSMN8R5-40HSX复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4078677RL
條帶式包裝4078677
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleLFPAK56D
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel53W
Power Dissipation P Channel53W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
53W
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0085ohm
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation N Channel
53W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000272