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PSMN8R9-100BSEJ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$283.660 | NT$283.66 |
| 總計 價格 | NT$283.66 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$283.660 |
| 10+ | NT$253.950 |
| 100+ | NT$174.590 |
| 500+ | NT$60.460 |
| 1000+ | NT$56.070 |
品項附註
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PSMN8R9-100BSEJ复制
製造商標準前置時間15 週
訂購代碼
複捲式3617857RL
條帶式包裝3617857
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation296W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
296W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
PSMN8R9-100BSEJ 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000004