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2N3055G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Through Hole
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| 10+ | NT$119.590 |
| 100+ | NT$117.200 |
| 500+ | NT$114.810 |
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價格Each
最少: 1
多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號2N3055G复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼2101370
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation115W
Transistor Case StyleTO-204AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2.5MHz
DC Current Gain hFE Min20hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The 2N3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications.
- Excellent safe operating area
- DC Current gain(hFE = 20 to 70 at Ic = 4ADC)
- Collector-emitter saturation voltage(Vce (sat) = 1.1VDC maximum at Ic = 4ADC)
應用
Industrial
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-204AA
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
115W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2.5MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.012021