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2N4923G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Through Hole
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號2N4923G复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼9556443
Product Range2NXXXX
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation30W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range2NXXXX
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The 2N4923G is a 1A NPN medium-power Silicon Transistor designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
- Low saturation voltage
- Excellent power dissipation due to thermopad construction
- Excellent safe operating area
- Complement to PNP 2N4920G
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
2NXXXX
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
30W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000635