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2SK2394-6-TB-E
JFET Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$16.900 | NT$84.50 |
| 總計 價格 | NT$84.50 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$16.900 |
| 50+ | NT$13.570 |
| 100+ | NT$10.230 |
| 500+ | NT$10.030 |
| 1500+ | NT$9.830 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號2SK2394-6-TB-E复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式3368699RL
條帶式包裝3368699
技術資料表
Gate Source Breakdown Voltage Max15V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
2SK2394-6-TB-E is a 15V, CP, N-channel JFET. Suitable for AM tuner RF amplifier and low noise amplifier.
- Large (yfs) (38mS typ forward transfer admittance) at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- Small Ciss
- Small sized package
- Ultralow noise figure
- 15V drain-to-source voltage and -15V gate-to-drain voltage
- 10 to 20mA drain current at VDS = 5 V, VGS = 0 V
- 38mS typ forward transfer admittance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- 200mW allowable power dissipation
- 150°C junction temperature
- 10pF input capacitance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1MHz
技術規格
Gate Source Breakdown Voltage Max
15V
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004