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BC847BWT1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323
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| 500+ | NT$0.963 |
| 1500+ | NT$0.944 |
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最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號BC847BWT1G
訂購代碼1653703
Product RangeBCxxx
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Transition Frequency100MHz
Power Dissipation150mW
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min290hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBCxxx
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BC847BWT1G is a NPN General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
100MHz
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
BCxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
150mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
290hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.08