列印頁面
FCP850N80Z
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
可供訂購
製造商標準交貨時間：14 週
有貨時通知我
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$128.370 |
| 10+ | NT$65.330 |
| 100+ | NT$58.860 |
| 500+ | NT$48.190 |
| 1000+ | NT$47.230 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$128.37
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FCP850N80Z复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼2565210
Product RangeSuperFET II
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET II
MSL
-
FCP850N80Z 的替代選擇
找到 1 個產品
相關產品
找到 5 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001