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FDC606P
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$25.150 | NT$125.75 |
| 總計 價格 | NT$125.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$25.150 |
| 50+ | NT$20.830 |
| 100+ | NT$16.510 |
| 500+ | NT$11.600 |
| 1500+ | NT$11.370 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDC606P复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式1495224RL
條帶式包裝1495224
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDC606P is a 1.8V specified P-channel MOSFET uses low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000318