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FDMS86350ET80
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Surface Mount
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包裝選項
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$208.760 |
| 10+ | NT$146.070 |
| 100+ | NT$123.750 |
| 500+ | NT$123.420 |
| 1000+ | NT$121.360 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDMS86350ET80
訂購代碼
複捲式3368752RL
條帶式包裝3368752
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id198A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
198A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004