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FDN335N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$30.930 | NT$154.65 |
| 總計 價格 | NT$154.65 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$30.930 |
| 50+ | NT$25.260 |
| 100+ | NT$19.600 |
| 500+ | NT$12.110 |
| 1500+ | NT$11.870 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$11.630 |
| 9000+ | NT$11.400 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDN335N复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
整卷2323183
複捲式9845348RL
條帶式包裝9845348
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDN335N is a N-channel 2.5V specified MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low gate threshold voltage
- High performance trench technology for extremely low RDS
- High power and current handling capability
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000037