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FDP036N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Through Hole
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| 1+ | NT$196.760 |
| 10+ | NT$110.970 |
| 100+ | NT$99.380 |
| 500+ | NT$96.070 |
| 1000+ | NT$94.150 |
價格Each
最少: 1
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDP036N10A复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼3368758
Product RangePowerTrench
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation333W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002