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FDP060AN08A0
Power MOSFET, Automotive, N Channel, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Through Hole
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDP060AN08A0复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼1700638
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The FDP060AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
- Low Miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00204