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FDS89161LZ
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$74.940 | NT$74.94 |
| 總計 價格 | NT$74.94 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$74.940 |
| 10+ | NT$47.990 |
| 100+ | NT$32.550 |
| 500+ | NT$25.910 |
| 1000+ | NT$21.560 |
| 5000+ | NT$21.130 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDS89161LZ复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式2825190RL
條帶式包裝2825190
技術資料表
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.105ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.105ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.105ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.105ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004