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FDV305N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$11.380 | NT$56.90 |
| 總計 價格 | NT$56.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$11.380 |
| 50+ | NT$9.310 |
| 100+ | NT$7.230 |
| 500+ | NT$4.830 |
| 1500+ | NT$4.730 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$4.550 |
| 9000+ | NT$4.460 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDV305N复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
整卷2438465
複捲式1471059RL
條帶式包裝1471059
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDV305N is a N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000077