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FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$209.430 |
| 10+ | NT$119.770 |
| 100+ | NT$99.600 |
| 500+ | NT$96.070 |
| 1000+ | NT$94.150 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$209.43
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FGA60N65SMD
訂購代碼2825136
技術資料表
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.007439