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FGH75T65SQDNL4
IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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|---|---|
| 1+ | NT$295.420 |
| 5+ | NT$249.910 |
| 10+ | NT$204.410 |
| 50+ | NT$193.840 |
| 100+ | NT$183.280 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FGH75T65SQDNL4
訂購代碼2981092
技術資料表
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage1.43V
Power Dissipation375W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Continuous Collector Current
200A
Power Dissipation
375W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.43V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00542